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抗輻照加固電源芯片
抗輻照加固電源芯片線(xiàn)覆蓋運(yùn)算放大器、低壓降穩(wěn)壓器(LDO)、GaN驅(qū)動(dòng)電路等核心器件,針對(duì)高輻射、高溫及振動(dòng)等極端環(huán)境進(jìn)行深度優(yōu)化。全系產(chǎn)品采用抗輻照加固設(shè)計(jì),具有≥1MRadSi總劑量耐受能力,抗SEU≥37MeVcm2/mg,抗SEL ≥ 75MeVcm2/mg;可與ISP芯片協(xié)同,形成“供電-成像-處理”全鏈路解決方案,顯著縮短衛(wèi)星載荷開(kāi)發(fā)周期。
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